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MC10EP31DR2

MC10EP31DR2

僅供參考

型號 MC10EP31DR2
PNEDA編號 MC10EP31DR2
描述 IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MC10EP31DR2資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MC10EP31DR2
類別半導體邏輯IC邏輯-觸發器
數據表
MC10EP31DR2, MC10EP31DR2數據表 (總頁數: 11, 大小: 177.36 KB)
PDFMC100EP31MNR4G數據表 封面
MC100EP31MNR4G數據表 頁面 2 MC100EP31MNR4G數據表 頁面 3 MC100EP31MNR4G數據表 頁面 4 MC100EP31MNR4G數據表 頁面 5 MC100EP31MNR4G數據表 頁面 6 MC100EP31MNR4G數據表 頁面 7 MC100EP31MNR4G數據表 頁面 8 MC100EP31MNR4G數據表 頁面 9 MC100EP31MNR4G數據表 頁面 10 MC100EP31MNR4G數據表 頁面 11

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MC10EP31DR2規格

制造商ON Semiconductor
系列10EP
功能Set(Preset) and Reset
類型D-Type
輸出類型Differential
元素數1
每個元素的位數1
時鐘頻率3GHz
最大傳播延遲@ V,最大CL-
觸發類型Positive Edge
電流-輸出高,低-
電壓-供電-3V ~ -5.5V
當前-靜態(Iq)45mA
輸入電容-
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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元素數

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時鐘頻率

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最大傳播延遲@ V,最大CL

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觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

4mA, 4mA

電壓-供電

2V ~ 3.6V

當前-靜態(Iq)

4µA

輸入電容

4pF

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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類型

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元素數

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時鐘頻率

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最大傳播延遲@ V,最大CL

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觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

15mA, 20mA

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

當前-靜態(Iq)

50µA

輸入電容

3pF

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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Tri-State, Non-Inverted

元素數

1

每個元素的位數

8

時鐘頻率

-

最大傳播延遲@ V,最大CL

20ns @ 300pF

觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

32mA, 64mA

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

當前-靜態(Iq)

200µA

輸入電容

5pF

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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功能

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類型

D-Type

輸出類型

Tri-State, Non-Inverted

元素數

2

每個元素的位數

9

時鐘頻率

150MHz

最大傳播延遲@ V,最大CL

6.2ns @ 5V, 50pF

觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

12mA, 12mA

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

當前-靜態(Iq)

500µA

輸入電容

3.5pF

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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Differential

元素數

1

每個元素的位數

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時鐘頻率

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最大傳播延遲@ V,最大CL

26ns @ 6V, 50pF

觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

5.2mA, 5.2mA

電壓-供電

2V ~ 6V

當前-靜態(Iq)

4µA

輸入電容

5pF

工作溫度

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