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MC10EP35DR2G

MC10EP35DR2G

僅供參考

型號 MC10EP35DR2G
PNEDA編號 MC10EP35DR2G
描述 IC FF JK TYPE SNGL 1BIT 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,590
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MC10EP35DR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MC10EP35DR2G
類別半導體邏輯IC邏輯-觸發器
數據表
MC10EP35DR2G, MC10EP35DR2G數據表 (總頁數: 8, 大小: 83.78 KB)
PDFMC100EP35MNR4G數據表 封面
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MC10EP35DR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列10EP
功能Reset
類型JK Type
輸出類型Differential
元素數1
每個元素的位數1
時鐘頻率3GHz
最大傳播延遲@ V,最大CL-
觸發類型Positive Edge
電流-輸出高,低-
電壓-供電-3V ~ -5.5V
當前-靜態(Iq)50mA
輸入電容-
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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最大傳播延遲@ V,最大CL

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觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

24mA, 24mA

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

當前-靜態(Iq)

10µA

輸入電容

4pF

工作溫度

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觸發類型

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電流-輸出高,低

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輸出類型

Differential

元素數

2

每個元素的位數

1

時鐘頻率

250MHz

最大傳播延遲@ V,最大CL

-

觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

-

電壓-供電

-4.9V ~ -5.46V

當前-靜態(Iq)

56mA

輸入電容

-

工作溫度

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安裝類型

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類型

D-Type

輸出類型

Tri-State, Non-Inverted

元素數

1

每個元素的位數

8

時鐘頻率

200MHz

最大傳播延遲@ V,最大CL

5ns @ 5V, 50pF

觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

32mA, 64mA

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

當前-靜態(Iq)

50µA

輸入電容

5pF

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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類型

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輸出類型

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元素數

1

每個元素的位數

8

時鐘頻率

122MHz

最大傳播延遲@ V,最大CL

26ns @ 6V, 50pF

觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

5.2mA, 5.2mA

電壓-供電

2V ~ 6V

當前-靜態(Iq)

8µA

輸入電容

3.5pF

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