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MC10EP51DR2G

MC10EP51DR2G

僅供參考

型號 MC10EP51DR2G
PNEDA編號 MC10EP51DR2G
描述 IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,218
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MC10EP51DR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MC10EP51DR2G
類別半導體邏輯IC邏輯-觸發器
數據表
MC10EP51DR2G, MC10EP51DR2G數據表 (總頁數: 11, 大小: 150.67 KB)
PDFMC10EP51MNR4G數據表 封面
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MC10EP51DR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列10EP
功能Reset
類型D-Type
輸出類型Differential
元素數1
每個元素的位數1
時鐘頻率3GHz
最大傳播延遲@ V,最大CL-
觸發類型Positive, Negative
電流-輸出高,低-
電壓-供電-3V ~ -5.5V
當前-靜態(Iq)45mA
輸入電容-
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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觸發類型

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電流-輸出高,低

24mA, 24mA

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

當前-靜態(Iq)

40µA

輸入電容

4.5pF

工作溫度

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元素數

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每個元素的位數

1

時鐘頻率

24MHz

最大傳播延遲@ V,最大CL

90ns @ 15V, 50pF

觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

6.8mA, 6.8mA

電壓-供電

3V ~ 18V

當前-靜態(Iq)

4µA

輸入電容

5pF

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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輸出類型

Differential

元素數

1

每個元素的位數

1

時鐘頻率

3GHz

最大傳播延遲@ V,最大CL

-

觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

-

電壓-供電

-3V ~ -5.5V

當前-靜態(Iq)

50mA

輸入電容

-

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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類型

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Differential

元素數

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1

時鐘頻率

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最大傳播延遲@ V,最大CL

10ns @ 5V, 50pF

觸發類型

Positive Edge

電流-輸出高,低

24mA, 24mA

電壓-供電

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當前-靜態(Iq)

2µA

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3pF

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