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MCH3106-TL-E

MCH3106-TL-E

僅供參考

型號 MCH3106-TL-E
PNEDA編號 MCH3106-TL-E
描述 TRANS PNP 12V 3A MCPH3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,722
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MCH3106-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MCH3106-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MCH3106-TL-E, MCH3106-TL-E數據表 (總頁數: 7, 大小: 366.12 KB)
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MCH3106-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic165mV @ 30mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 500mA, 2V
功率-最大900mW
頻率-過渡280MHz
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝3-MCPH

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

280mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 5V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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3A

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 125mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 1V

功率-最大

2W

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100MHz

工作溫度

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650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

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