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MCH3333A-TL-W

MCH3333A-TL-W

僅供參考

型號 MCH3333A-TL-W
PNEDA編號 MCH3333A-TL-W
描述 MOSFET P-CH 30V 2A MCPH3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,434
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MCH3333A-TL-W資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MCH3333A-TL-W
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
MCH3333A-TL-W, MCH3333A-TL-W數據表 (總頁數: 5, 大小: 972.57 KB)
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MCH3333A-TL-W規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4V
Rds On(Max)@ Id,Vgs215mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID1.3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.8nC @ 4V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds240pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)900mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70FL/MCPH3
包裝/箱3-SMD, Flat Leads

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

647pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 15.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 800µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2850pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

162W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3Ohm @ 1.15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

274pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

58W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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