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MCH5839-TL-W

MCH5839-TL-W

僅供參考

型號 MCH5839-TL-W
PNEDA編號 MCH5839-TL-W
描述 MOSFET P-CH 20V 1.5A MCPH
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MCH5839-TL-W資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MCH5839-TL-W
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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MCH5839-TL-W規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs266mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.7nC @ 4.5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds120pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)800mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-88AFL/MCPH5
包裝/箱5-SMD, Flat Leads

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.63Ohm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

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110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3080pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

299mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1505pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

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