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MCH6606-TL-E

MCH6606-TL-E

僅供參考

型號 MCH6606-TL-E
PNEDA編號 MCH6606-TL-E
描述 MOSFET PCH DUAL MCPH6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MCH6606-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MCH6606-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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MCH6606-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列*
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

815pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

98mOhm @ 20A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 1000V

功率-最大

125W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

536pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2.7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

259nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

功率-最大

250W

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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