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MD2009DFX

MD2009DFX

僅供參考

型號 MD2009DFX
PNEDA編號 MD2009DFX
描述 TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,084
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MD2009DFX資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MD2009DFX
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MD2009DFX, MD2009DFX數據表 (總頁數: 10, 大小: 203.8 KB)
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MD2009DFX規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)700V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.8V @ 1.4A, 5.5A
當前-集電極截止(最大值)200µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce5 @ 5.5A, 5V
功率-最大58W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱ISOWATT218FX
供應商設備包裝ISOWATT-218FX

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 3.3A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 4V

功率-最大

115W

頻率-過渡

2.5MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 5A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

12 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 20mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 3V

功率-最大

-

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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