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MDS1100

MDS1100

僅供參考

型號 MDS1100
PNEDA編號 MDS1100
描述 RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MDS1100資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MDS1100
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MDS1100規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)65V
頻率-過渡1.03GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益8.9dB
功率-最大8750W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 5A, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
工作溫度200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱55TU-1
供應商設備包裝55TU-1

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0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz

增益

16dB

功率-最大

80mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 5mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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安裝類型

Surface Mount

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CEL

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

SOT-89

MS2396

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.5V

頻率-過渡

25GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

增益

20dB

功率-最大

135mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 25mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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