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MG12150D-BA1MM

MG12150D-BA1MM

僅供參考

型號 MG12150D-BA1MM
PNEDA編號 MG12150D-BA1MM
描述 IGBT 1200V 210A 1100W PKG D
制造商 Littelfuse
單價 請求報價
庫存 5,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 30 - 一月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MG12150D-BA1MM資源

品牌 Littelfuse
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MG12150D-BA1MM
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
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MG12150D-BA1MM規格

制造商Littelfuse Inc.
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)210A
功率-最大1100W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.8V @ 15V, 150A (Typ)
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce11nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝D3

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當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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-

輸入電容(Cies)@ Vce

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NTC熱敏電阻

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

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