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MJ11028G

MJ11028G

僅供參考

型號 MJ11028G
PNEDA編號 MJ11028G
描述 TRANS NPN DARL 60V 50A TO3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 19,890
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJ11028G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJ11028G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJ11028G, MJ11028G數據表 (總頁數: 4, 大小: 116.12 KB)
PDFMJ11030G數據表 封面
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MJ11028G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3.5V @ 500mA, 50A
當前-集電極截止(最大值)2mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 25A, 5V
功率-最大300W
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AE
供應商設備包裝TO-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 500mA, 1V

功率-最大

5W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

供應商設備包裝

PG-SOT223-4

TIP41AG

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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