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MJ15011G

MJ15011G

僅供參考

型號 MJ15011G
PNEDA編號 MJ15011G
描述 TRANS NPN 250V 10A TO3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJ15011G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJ15011G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJ15011G, MJ15011G數據表 (總頁數: 4, 大小: 61.51 KB)
PDFMJ15011G數據表 封面
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MJ15011G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 400mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 2A, 2V
功率-最大200W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-204 (TO-3)

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Diodes Incorporated

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

225 @ 500mA, 2V

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ON Semiconductor

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

35V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

310mV @ 20mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1.5A, 1.5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 400mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 2A, 1V

功率-最大

75W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-220-3

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 1V

功率-最大

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