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MJ4502G

MJ4502G

僅供參考

型號 MJ4502G
PNEDA編號 MJ4502G
描述 TRANS PNP 100V 30A TO3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 9,864
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJ4502G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJ4502G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJ4502G, MJ4502G數據表 (總頁數: 4, 大小: 128.59 KB)
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MJ4502G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 750mA, 7.5A
當前-集電極截止(最大值)1mA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 7.5A, 2V
功率-最大200W
頻率-過渡2MHz
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-204 (TO-3)

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制造商

Diodes Incorporated

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SOT-323

KSA1370EBU

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

540mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

155 @ 500mA, 2V

功率-最大

1.1W

頻率-過渡

110MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Nexperia USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

225mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

1.3W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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