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MJD243G

MJD243G

僅供參考

型號 MJD243G
PNEDA編號 MJD243G
描述 TRANS NPN 100V 4A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 21,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD243G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD243G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD243G, MJD243G數據表 (總頁數: 10, 大小: 196.8 KB)
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MJD243G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 200mA, 1V
功率-最大1.4W
頻率-過渡40MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 4V

功率-最大

80W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

-

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 500mA, 1V

功率-最大

3W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

PG-SOT89

CPH3115-TL-H

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

375mV @ 15mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

450MHz

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150°C (TJ)

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包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 20mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

12 @ 40mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

20MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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