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MJD32CQ-13

MJD32CQ-13

僅供參考

型號 MJD32CQ-13
PNEDA編號 MJD32CQ-13
描述 TRANS PNP 100V 3A TO252-3L
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 67,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD32CQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD32CQ-13
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD32CQ-13, MJD32CQ-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 427.42 KB)
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MJD32CQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 375mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)1μA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 3A, 4V
功率-最大15W
頻率-過渡3MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

900mV @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 20mA, 600mA

當前-集電極截止(最大值)

5µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 500mA, 1V

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 2V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

100MHz

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當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

600 @ 2mA, 5V

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