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MJD350T4

MJD350T4

僅供參考

型號 MJD350T4
PNEDA編號 MJD350T4
描述 TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 628,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 14 - 三月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD350T4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD350T4
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD350T4, MJD350T4數據表 (總頁數: 5, 大小: 503.62 KB)
PDFMJD350T4數據表 封面
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MJD350T4規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 50mA, 10V
功率-最大15W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1A, 4A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

26 @ 1A, 5V

功率-最大

75W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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500mV @ 50mA, 500mA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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