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MJE5731A

MJE5731A

僅供參考

型號 MJE5731A
PNEDA編號 MJE5731A
描述 TRANS PNP 375V 1A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJE5731A資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJE5731A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJE5731A, MJE5731A數據表 (總頁數: 6, 大小: 76.85 KB)
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MJE5731A規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)375V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 200mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 300mA, 10V
功率-最大40W
頻率-過渡10MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 350mA, 3.5A

當前-集電極截止(最大值)

25nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 2A, 2V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 1.6A, 8A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 5A, 5V

功率-最大

80W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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