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MJE5851

MJE5851

僅供參考

型號 MJE5851
PNEDA編號 MJE5851
描述 TRANS PNP 350V 8A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,816
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJE5851資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJE5851
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJE5851, MJE5851數據表 (總頁數: 8, 大小: 98.39 KB)
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MJE5851規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)350V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic5V @ 3A, 8A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce5 @ 5A, 5V
功率-最大80W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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600V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 20mA, 5V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 12V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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