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MJE802

MJE802

僅供參考

型號 MJE802
PNEDA編號 MJE802
描述 TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJE802資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJE802
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJE802, MJE802數據表 (總頁數: 8, 大小: 257.51 KB)
PDFMJE802數據表 封面
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MJE802規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 40mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce750 @ 1.5A, 3V
功率-最大40W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝SOT-32

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 25mA, 20V

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

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