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MJF3055G

MJF3055G

僅供參考

型號 MJF3055G
PNEDA編號 MJF3055G
描述 TRANS NPN 90V 10A TO220FP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 9,576
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJF3055G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJF3055G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJF3055G, MJF3055G數據表 (總頁數: 5, 大小: 115.38 KB)
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MJF3055G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)90V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止(最大值)1μA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 4A, 4V
功率-最大2W
頻率-過渡2MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220FP

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

90MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

3-SIP

供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 5V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 100mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 5A, 3V

功率-最大

80W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

2SC5200OTU

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

17A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

5µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 5V

功率-最大

150W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-264-3

KSA1203OTF

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制造商

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系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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