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MJH11017G

MJH11017G

僅供參考

型號 MJH11017G
PNEDA編號 MJH11017G
描述 TRANS PNP DARL 150V 15A TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,240
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 7 - 二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJH11017G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJH11017G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJH11017G, MJH11017G數據表 (總頁數: 8, 大小: 95.03 KB)
PDFMJH11019數據表 封面
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MJH11017G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)150V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic4V @ 150mA, 15A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce400 @ 10A, 5V
功率-最大150W
頻率-過渡3MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

325mW

頻率-過渡

210MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

3-XDFN Exposed Pad

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

260V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 3A, 5V

功率-最大

180W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

供應商設備包裝

TO-264

MMBT3906LT1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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