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MK10DN512VMC10R

MK10DN512VMC10R

僅供參考

型號 MK10DN512VMC10R
PNEDA編號 MK10DN512VMC10R
描述 IC MCU 32BIT 512KB FLASH 121BGA
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,700
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 21 - 四月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MK10DN512VMC10R資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MK10DN512VMC10R
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器
數據表
MK10DN512VMC10R, MK10DN512VMC10R數據表 (總頁數: 73, 大小: 1,415.27 KB)
PDFMK10DN512VMC10R數據表 封面
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MK10DN512VMC10R規格

制造商NXP USA Inc.
系列Kinetis K10
核心處理器ARM® Cortex®-M4
核心大小32-Bit
速度100MHz
連接性CANbus, EBI/EMI, I²C, IrDA, SD, SPI, UART/USART
外圍設備DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT
I / O數量90
程序存儲器大小512KB (512K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小128K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)1.71V ~ 3.6V
數據轉換器A/D 42x16b; D/A 2x12b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱121-LFBGA
供應商設備包裝121-MAPBGA (8x8)

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I / O數量

88

程序存儲器大小

128KB (128K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

10K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.8V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 20x10b; D/A 2x8b

振蕩器類型

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工作溫度

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連接性

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外圍設備

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I / O數量

52

程序存儲器大小

60KB (60K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

1K x 8

RAM大小

2K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

4.5V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 15x8b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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連接性

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Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT

I / O數量

12

程序存儲器大小

7KB (4K x 14)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

512 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

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數據轉換器

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振蕩器類型

Internal

工作溫度

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安裝類型

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程序存儲器大小

384KB (384K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

96K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.235V ~ 1.365V

數據轉換器

A/D 16x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

108-LFBGA

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I / O數量

22

程序存儲器大小

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程序存儲器類型

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