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MKI100-12E8

MKI100-12E8

僅供參考

型號 MKI100-12E8
PNEDA編號 MKI100-12E8
描述 MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 165A E3
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,246
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MKI100-12E8資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MKI100-12E8
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
MKI100-12E8, MKI100-12E8數據表 (總頁數: 4, 大小: 288.85 KB)
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MKI100-12E8規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型NPT
配置Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)165A
功率-最大640W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)1.4mA
輸入電容(Cies)@ Vce7.4nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱E3
供應商設備包裝E3

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.45V @ 15V, 600A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

39nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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功率-最大

700W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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