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MMBF5460

MMBF5460

僅供參考

型號 MMBF5460
PNEDA編號 MMBF5460
描述 JFET P-CH 40V 0.225W SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $0.4659
500 ---------- $0.4441
1,000 ---------- $0.4222
2,500 ---------- $0.4004
5,000 ---------- $0.3822
10,000 ---------- $0.3640
庫存 46,111
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBF5460資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBF5460
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
MMBF5460, MMBF5460數據表 (總頁數: 8, 大小: 385.99 KB)
PDFMMBF5461數據表 封面
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MMBF5460規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)1mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID750mV @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7pF @ 15V
電阻-RDS(On)-
功率-最大225mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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工作溫度

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.2mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

400mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8.2pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

6V @ 500pA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 10V

電阻-RDS(On)

40 Ohms

功率-最大

360mW

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

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FET類型

P-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

750mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

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安裝類型

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