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MMBTA13LT3G

MMBTA13LT3G

僅供參考

型號 MMBTA13LT3G
PNEDA編號 MMBTA13LT3G
描述 TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 232,470
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTA13LT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTA13LT3G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBTA13LT3G, MMBTA13LT3G數據表 (總頁數: 7, 大小: 196.86 KB)
PDFMMBTA14LT1數據表 封面
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MMBTA13LT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)300mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10000 @ 100mA, 5V
功率-最大225mW
頻率-過渡125MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

E-Line (TO-92 compatible)

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

16V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 200mA, 13.5V

功率-最大

5W

頻率-過渡

1GHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

175MHz

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

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