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MMBTA28

MMBTA28

僅供參考

型號 MMBTA28
PNEDA編號 MMBTA28
描述 TRANS NPN DARL 80V 0.8A SSOT3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 309,180
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 13 - 四月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTA28資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTA28
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBTA28, MMBTA28數據表 (總頁數: 9, 大小: 360.36 KB)
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MMBTA28規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)800mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10000 @ 100mA, 5V
功率-最大350mW
頻率-過渡125MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝3-SSOT

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 500mA, 2V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

75MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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