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MMBTA64LT1G

MMBTA64LT1G

僅供參考

型號 MMBTA64LT1G
PNEDA編號 MMBTA64LT1G
描述 TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 587,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTA64LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTA64LT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBTA64LT1G, MMBTA64LT1G數據表 (總頁數: 4, 大小: 87.9 KB)
PDFMMBTA64LT1數據表 封面
MMBTA64LT1數據表 頁面 2 MMBTA64LT1數據表 頁面 3 MMBTA64LT1數據表 頁面 4

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MMBTA64LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20000 @ 100mA, 5V
功率-最大225mW
頻率-過渡125MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

260MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 2mA, 10V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 3.5A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

48 @ 100mA, 5V

功率-最大

30W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220FP

FJP5355TU

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

440V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 800mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

7 @ 2.5A, 2V

功率-最大

50W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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