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MMBTH10LT1

MMBTH10LT1

僅供參考

型號 MMBTH10LT1
PNEDA編號 MMBTH10LT1
描述 RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $0.0361
500 ---------- $0.0344
1,000 ---------- $0.0327
2,500 ---------- $0.0310
5,000 ---------- $0.0296
10,000 ---------- $0.0282
庫存 40,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTH10LT1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTH10LT1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MMBTH10LT1, MMBTH10LT1數據表 (總頁數: 5, 大小: 91.3 KB)
PDFMMBTH10-4LT1數據表 封面
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MMBTH10LT1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

6.6dB

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1mA, 5V

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20A

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)

制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

14.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

12dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 20mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

-

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-92-3

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