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MMBZ5225BLT1G

MMBZ5225BLT1G

僅供參考

型號 MMBZ5225BLT1G
PNEDA編號 MMBZ5225BLT1G
描述 DIODE ZENER 3V 225MW SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 144,162
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBZ5225BLT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBZ5225BLT1G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
MMBZ5225BLT1G, MMBZ5225BLT1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 201.44 KB)
PDFMMBZ5264BLT1G數據表 封面
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MMBZ5225BLT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)3V
公差±5%
功率-最大225mW
阻抗(最大值)(閽zt)29 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10mA
工作溫度-65°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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14.7V

公差

±6.12%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

10 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 11V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

4.7V

公差

±5%

功率-最大

1.3W

阻抗(最大值)(閽zt)

8 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-齊納(額定)(Vz)

15V

公差

±2%

功率-最大

550mW

阻抗(最大值)(閽zt)

15 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 10.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-齊納(額定)(Vz)

15V

公差

-

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

16 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 11V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 16.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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