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MMBZ5230ELT1G

MMBZ5230ELT1G

僅供參考

型號 MMBZ5230ELT1G
PNEDA編號 MMBZ5230ELT1G
描述 DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,434
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBZ5230ELT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBZ5230ELT1G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
MMBZ5230ELT1G, MMBZ5230ELT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 161.67 KB)
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MMBZ5230ELT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)4.7V
公差±5%
功率-最大225mW
阻抗(最大值)(閽zt)19 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 2V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10mA
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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-

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 18V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 500mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

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DO-214AC (SMA)

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*

電壓-齊納(額定)(Vz)

-

公差

-

功率-最大

-

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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電壓-齊納(額定)(Vz)

2.7V

公差

±7%

功率-最大

200mW

阻抗(最大值)(閽zt)

100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

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功率-最大

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當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 33V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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11 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25.9V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

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