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MMBZ5230ELT1G

MMBZ5230ELT1G

僅供參考

型號 MMBZ5230ELT1G
PNEDA編號 MMBZ5230ELT1G
描述 DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,434
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBZ5230ELT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBZ5230ELT1G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
MMBZ5230ELT1G, MMBZ5230ELT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 161.67 KB)
PDFMMBZ5257ELT1G數據表 封面
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MMBZ5230ELT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)4.7V
公差±5%
功率-最大225mW
阻抗(最大值)(閽zt)19 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 2V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10mA
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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電壓-齊納(額定)(Vz)

-

公差

-

功率-最大

-

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

NZX8V2D,133

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

8.2V

公差

±2%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

20 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

700nA @ 5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

ALF2

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

25V

公差

±20%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

4 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 18V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

T-18, Axial

供應商設備包裝

T-18

SMBJ5365BE3/TR13

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

36V

公差

±5%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

11 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25.9V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

8.2V

公差

±2%

功率-最大

200mW

阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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