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MMDT4146-7

MMDT4146-7

僅供參考

型號 MMDT4146-7
PNEDA編號 MMDT4146-7
描述 TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMDT4146-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMDT4146-7
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
MMDT4146-7, MMDT4146-7數據表 (總頁數: 5, 大小: 94.64 KB)
PDFMMDT4146-7數據表 封面
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MMDT4146-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 2mA, 1V
功率-最大200mW
頻率-過渡300MHz, 250MHz
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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制造商

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系列

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

330mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

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晶體管類型

4 NPN (Quad)

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

450MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

700mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 1µA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

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