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MMDT4146-7-F

MMDT4146-7-F

僅供參考

型號 MMDT4146-7-F
PNEDA編號 MMDT4146-7-F
描述 TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363
制造商 Diodes Incorporated
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庫存 47,826
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMDT4146-7-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMDT4146-7-F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
MMDT4146-7-F, MMDT4146-7-F數據表 (總頁數: 5, 大小: 94.64 KB)
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MMDT4146-7-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 2mA, 1V
功率-最大200mW
頻率-過渡300MHz, 250MHz
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 2mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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