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MMJT350T1G

MMJT350T1G

僅供參考

型號 MMJT350T1G
PNEDA編號 MMJT350T1G
描述 TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 24 - 三月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMJT350T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMJT350T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMJT350T1G, MMJT350T1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 116.13 KB)
PDFMMJT350T1數據表 封面
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MMJT350T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 50mA, 10V
功率-最大650mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 6A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

25mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 10mA, 2V

功率-最大

250mW

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 6A, 3V

功率-最大

130W

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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Nexperia USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 100mA, 2V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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