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MMST5551Q-7-F

MMST5551Q-7-F

僅供參考

型號 MMST5551Q-7-F
PNEDA編號 MMST5551Q-7-F
描述 SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT323
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,500
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMST5551Q-7-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMST5551Q-7-F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMST5551Q-7-F, MMST5551Q-7-F數據表 (總頁數: 5, 大小: 184.03 KB)
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MMST5551Q-7-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

360mV @ 300mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 270mA, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

210mV @ 400mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 1V

功率-最大

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