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MPS6602G

MPS6602G

僅供參考

型號 MPS6602G
PNEDA編號 MPS6602G
描述 TRANS NPN 40V 1A TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 11 - 四月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPS6602G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPS6602G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MPS6602G, MPS6602G數據表 (總頁數: 8, 大小: 78.99 KB)
PDFMPS751ZL1數據表 封面
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MPS6602G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 500mA, 1V
功率-最大625mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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140V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 2A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

200mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 3A, 4V

功率-最大

117W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

170 @ 500mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 150mA, 5V

功率-最大

750mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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