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MPSW55RLRAG

MPSW55RLRAG

僅供參考

型號 MPSW55RLRAG
PNEDA編號 MPSW55RLRAG
描述 TRANS PNP 60V 0.5A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,708
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPSW55RLRAG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPSW55RLRAG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MPSW55RLRAG, MPSW55RLRAG數據表 (總頁數: 4, 大小: 97.54 KB)
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MPSW55RLRAG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 10mA, 250mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 250mA, 1V
功率-最大1W
頻率-過渡50MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92 (TO-226)

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2A

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32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 3V

功率-最大

10W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 500mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 400mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 6V

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 2mA, 5V

功率-最大

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工作溫度

150°C (TJ)

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