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MR45V200BRAZAARL

MR45V200BRAZAARL

僅供參考

型號 MR45V200BRAZAARL
PNEDA編號 MR45V200BRAZAARL
描述 FERAM / 2MBIT (256KB X 8) / SPI
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 13,440
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MR45V200BRAZAARL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MR45V200BRAZAARL
類別半導體內存IC內存
數據表
MR45V200BRAZAARL, MR45V200BRAZAARL數據表 (總頁數: 20, 大小: 484.89 KB)
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MR45V200BRAZAARL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FRAM
技術FRAM (Ferroelectric RAM)
內存大小2Mb (256K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率34MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-DIP

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內存格式

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

90-VFBGA (9x13)

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

2.8ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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