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MR851G

MR851G

僅供參考

型號 MR851G
PNEDA編號 MR851G
描述 DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 30,828
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MR851G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MR851G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MR851G, MR851G數據表 (總頁數: 4, 大小: 81.41 KB)
PDFMR856數據表 封面
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MR851G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)300ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝Axial
工作溫度-結點-65°C ~ 125°C

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電流-平均整流(Io)

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600mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

55pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-4

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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DO-214AC (SMA)

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30V

電流-平均整流(Io)

5.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

460mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 30V

電容@ Vr,F

590pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

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