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MRF13750HSR5

MRF13750HSR5

僅供參考

型號 MRF13750HSR5
PNEDA編號 MRF13750HSR5
描述 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 750 W
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 30 - 二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF13750HSR5資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF13750HSR5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF13750HSR5, MRF13750HSR5數據表 (總頁數: 19, 大小: 500.11 KB)
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MRF13750HSR5規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率700MHz ~ 1.3GHz
增益20.4dB
電壓-測試50V
額定電流(安培)10µA
噪聲系數-
當前-測試200mA
功率-輸出750W
電壓-額定105V
包裝/箱NI-1230-4S
供應商設備包裝NI-1230-4S

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28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

2A

功率-輸出

65W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT539B

供應商設備包裝

SOT539B

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.96GHz

增益

19.1dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.1A

功率-輸出

34W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

NI-780S

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

N-Channel JFET

頻率

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增益

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電壓-測試

15V

額定電流(安培)

6.5mA

噪聲系數

1.5dB

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

30V

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頻率

20GHz

增益

11dB

電壓-測試

2V

額定電流(安培)

70mA

噪聲系數

0.85dB

當前-測試

6mA

功率-輸出

-

電壓-額定

4V

包裝/箱

4-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

-

制造商

NXP USA Inc.

系列

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N-Channel Dual Gate

頻率

200MHz

增益

-

電壓-測試

5V

額定電流(安培)

30mA

噪聲系數

1dB

當前-測試

10mA

功率-輸出

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7V

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