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MRF21030LR3

MRF21030LR3

僅供參考

型號 MRF21030LR3
PNEDA編號 MRF21030LR3
描述 FET RF 65V 2.14GHZ NI-400
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF21030LR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF21030LR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF21030LR3, MRF21030LR3數據表 (總頁數: 9, 大小: 743.09 KB)
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MRF21030LR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率2.14GHz
增益13dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試250mA
功率-輸出30W
電壓-額定65V
包裝/箱NI-400
供應商設備包裝NI-400

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增益

21dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

1µA

噪聲系數

-

當前-測試

900mA

功率-輸出

150W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

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頻率

1.4GHz

增益

18dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

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當前-測試

150mA

功率-輸出

330W

電壓-額定

100V

包裝/箱

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增益

15dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

4A

噪聲系數

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當前-測試

50mA

功率-輸出

30W

電壓-額定

65V

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晶體管類型

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頻率

500MHz

增益

20dB

電壓-測試

7.5V

額定電流(安培)

4A

噪聲系數

-

當前-測試

50mA

功率-輸出

3W

電壓-額定

25V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

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頻率

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增益

-

電壓-測試

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額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

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