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MRF4427GR2

MRF4427GR2

僅供參考

型號 MRF4427GR2
PNEDA編號 MRF4427GR2
描述 RF TRANS NPN 20V 8SO
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 14 - 四月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF4427GR2資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF4427GR2
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MRF4427GR2規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益20dB
功率-最大1.5W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 10mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)400mA
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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1.8dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

1.2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

SOT-89

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

600mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 200mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Broadcom

制造商

Broadcom Limited

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5.5V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

增益

11dB ~ 12.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 2mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

32mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.7V

頻率-過渡

60GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.65dB @ 3.5GHz

增益

26dB

功率-最大

120mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 15mA, 2.5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

SOT-343

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

增益

25dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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