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MRF5812MR1

MRF5812MR1

僅供參考

型號 MRF5812MR1
PNEDA編號 MRF5812MR1
描述 TRANS NPN 15V 200MA
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF5812MR1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF5812MR1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MRF5812MR1規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

增益

11dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-23

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制造商

Renesas Electronics America Inc.

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

5.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

MS2214

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

頻率-過渡

960MHz ~ 1.215GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7.5dB

功率-最大

300W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 2A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

250°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M218

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

13dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

19.5dB

功率-最大

175mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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