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MRF6S19100HR5

MRF6S19100HR5

僅供參考

型號 MRF6S19100HR5
PNEDA編號 MRF6S19100HR5
描述 FET RF 68V 1.99GHZ NI-780
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S19100HR5資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S19100HR5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S19100HR5, MRF6S19100HR5數據表 (總頁數: 11, 大小: 446.73 KB)
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MRF6S19100HR5規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.99GHz
增益16.1dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試900mA
功率-輸出22W
電壓-額定68V
包裝/箱SOT-957A
供應商設備包裝NI-780H-2L

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NXP USA Inc.

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增益

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電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

70mA

功率-輸出

60W

電壓-額定

125V

包裝/箱

TO-270AA

供應商設備包裝

OM-270-2

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

N-Channel GaAs HJ-FET

頻率

20GHz

增益

11dB

電壓-測試

2V

額定電流(安培)

70mA

噪聲系數

0.85dB

當前-測試

6mA

功率-輸出

-

電壓-額定

4V

包裝/箱

4-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

-

MAGX-001214-650L00

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制造商

M/A-Com Technology Solutions

系列

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晶體管類型

HEMT

頻率

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增益

19.5dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

27A

噪聲系數

-

當前-測試

500mA

功率-輸出

500W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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65MHz

增益

23dB

電壓-測試

100V

額定電流(安培)

8A

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

250W

電壓-額定

1200V

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PLUS247™-3

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.88GHz

增益

19.9dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1A

功率-輸出

32W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-780GS-2L2LA

供應商設備包裝

NI-780GS-2L2LA

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