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MRF6S19100HR5

MRF6S19100HR5

僅供參考

型號 MRF6S19100HR5
PNEDA編號 MRF6S19100HR5
描述 FET RF 68V 1.99GHZ NI-780
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S19100HR5資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S19100HR5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S19100HR5, MRF6S19100HR5數據表 (總頁數: 11, 大小: 446.73 KB)
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MRF6S19100HR5規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.99GHz
增益16.1dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試900mA
功率-輸出22W
電壓-額定68V
包裝/箱SOT-957A
供應商設備包裝NI-780H-2L

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2.69GHz

增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

85mA

功率-輸出

5W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

H-37248-4

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制造商

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頻率

2GHz

增益

15dB

電壓-測試

4.5V

額定電流(安培)

1A

噪聲系數

1dB

當前-測試

280mA

功率-輸出

29dBm

電壓-額定

7V

包裝/箱

8-WFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-LPCC (2x2)

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.88GHz

增益

19.9dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1A

功率-輸出

32W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-780GS-2L2LA

供應商設備包裝

NI-780GS-2L2LA

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65MHz

增益

23dB

電壓-測試

100V

額定電流(安培)

8A

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

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制造商

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增益

17dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

70mA

功率-輸出

60W

電壓-額定

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