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MRF6S19100NR1

MRF6S19100NR1

僅供參考

型號 MRF6S19100NR1
PNEDA編號 MRF6S19100NR1
描述 FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,970
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S19100NR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S19100NR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S19100NR1, MRF6S19100NR1數據表 (總頁數: 16, 大小: 986.24 KB)
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MRF6S19100NR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.99GHz
增益14.5dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試950mA
功率-輸出22W
電壓-額定68V
包裝/箱TO-270AB
供應商設備包裝TO-270 WB-4

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供應商設備包裝

NI-360HF

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晶體管類型

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頻率

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增益

17.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

450mA

功率-輸出

12W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

LDMOST

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制造商

STMicroelectronics

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LDMOS

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增益

14dB

電壓-測試

12.5V

額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

150mA

功率-輸出

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增益

22dB

電壓-測試

7.5V

額定電流(安培)

3A

噪聲系數

-

當前-測試

200mA

功率-輸出

38.6dBm

電壓-額定

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79A

制造商

NXP USA Inc.

系列

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頻率

200MHz

增益

-

電壓-測試

5V

額定電流(安培)

30mA

噪聲系數

1dB

當前-測試

10mA

功率-輸出

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電壓-額定

7V

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