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MRF6S19200HSR3

MRF6S19200HSR3

僅供參考

型號 MRF6S19200HSR3
PNEDA編號 MRF6S19200HSR3
描述 FET RF 66V 1.99GHZ NI780S
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,202
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S19200HSR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S19200HSR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S19200HSR3, MRF6S19200HSR3數據表 (總頁數: 12, 大小: 447.38 KB)
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MRF6S19200HSR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.93GHz ~ 1.99GHz
增益17.9dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.6A
功率-輸出56W
電壓-額定66V
包裝/箱NI-780S
供應商設備包裝NI-780S

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噪聲系數

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當前-測試

1.1A

功率-輸出

33W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-957A

供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

N-Channel

頻率

1.93GHz

增益

17.8dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.3A

功率-輸出

50W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

NI-880XS-2 Gull

制造商

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系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual), Common Source

頻率

1.81GHz ~ 1.88GHz

增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

3.4A

功率-輸出

95W

電壓-額定

65V

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功率-輸出

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制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.99GHz

增益

15dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1A

功率-輸出

19W

電壓-額定

68V

包裝/箱

SOT-957A

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