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MRF6S21100HR5

MRF6S21100HR5

僅供參考

型號 MRF6S21100HR5
PNEDA編號 MRF6S21100HR5
描述 FET RF 68V 2.17GHZ NI-780
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S21100HR5資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S21100HR5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S21100HR5, MRF6S21100HR5數據表 (總頁數: 15, 大小: 724.82 KB)
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MRF6S21100HR5規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率2.11GHz ~ 2.17GHz
增益15.9dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試950mA
功率-輸出23W
電壓-額定68V
包裝/箱SOT-957A
供應商設備包裝NI-780H-2L

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增益

11dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

600mA

功率-輸出

115W

電壓-額定

28V

包裝/箱

SOT-1135B

供應商設備包裝

CDFM2

ATF-541M4-BLK

Broadcom

制造商

Broadcom Limited

系列

-

晶體管類型

E-pHEMT

頻率

2GHz

增益

17.5dB

電壓-測試

3V

額定電流(安培)

120mA

噪聲系數

0.5dB

當前-測試

60mA

功率-輸出

21.4dBm

電壓-額定

5V

包裝/箱

0505 (1412 Metric)

供應商設備包裝

MiniPak 1412

制造商

Ampleon USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.03GHz ~ 1.09GHz

增益

21.8dB

電壓-測試

32V

額定電流(安培)

4.2µA

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

317W

電壓-額定

-

包裝/箱

SOT-502B

供應商設備包裝

SOT502B

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

880MHz

增益

21dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.2A

功率-輸出

35W

電壓-額定

66V

包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

NI-780S

PD84001

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

870MHz

增益

15dB

電壓-測試

7.5V

額定電流(安培)

1.5A

噪聲系數

-

當前-測試

50mA

功率-輸出

30dBm

電壓-額定

18V

包裝/箱

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