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MRF6S21100MBR1

MRF6S21100MBR1

僅供參考

型號 MRF6S21100MBR1
PNEDA編號 MRF6S21100MBR1
描述 FET RF 68V 2.16GHZ TO272-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,086
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 15 - 二月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S21100MBR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S21100MBR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S21100MBR1, MRF6S21100MBR1數據表 (總頁數: 20, 大小: 1,527.99 KB)
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MRF6S21100MBR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率2.11GHz ~ 2.16GHz
增益14.5dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.05A
功率-輸出23W
電壓-額定68V
包裝/箱TO-272-4
供應商設備包裝TO-272 WB-4

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噪聲系數

2dB

當前-測試

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功率-輸出

-

電壓-額定

30V

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

512MHz

增益

25.4dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

10mA

功率-輸出

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電壓-額定

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包裝/箱

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增益

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電壓-測試

50V

額定電流(安培)

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噪聲系數

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功率-輸出

65W

電壓-額定

100V

包裝/箱

SOT539B

供應商設備包裝

SOT539B

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

N-Channel Dual Gate

頻率

400MHz

增益

29dB

電壓-測試

5V

額定電流(安培)

30mA

噪聲系數

0.9dB

當前-測試

15mA

功率-輸出

-

電壓-額定

6V

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

CMPAK-4

制造商

Ampleon USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual), Common Source

頻率

2.3GHz ~ 2.4GHz

增益

17dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

18A

噪聲系數

-

當前-測試

650mA

功率-輸出

12W

電壓-額定

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