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MRF6S9130HR3

MRF6S9130HR3

僅供參考

型號 MRF6S9130HR3
PNEDA編號 MRF6S9130HR3
描述 FET RF 68V 880MHZ NI-780
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S9130HR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S9130HR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S9130HR3, MRF6S9130HR3數據表 (總頁數: 11, 大小: 510.96 KB)
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MRF6S9130HR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率880MHz
增益19.2dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試950mA
功率-輸出27W
電壓-額定68V
包裝/箱SOT-957A
供應商設備包裝NI-780H-2L

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880MHz

增益

21dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.2A

功率-輸出

35W

電壓-額定

66V

包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

NI-780S

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

470MHz

增益

11.5dB

電壓-測試

12.5V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

800mA

功率-輸出

70W

電壓-額定

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制造商

NXP USA Inc.

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晶體管類型

LDMOS

頻率

880MHz

增益

19.2dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

950mA

功率-輸出

27W

電壓-額定

68V

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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增益

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電壓-測試

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

880MHz

增益

21.2dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.4A

功率-輸出

58W

電壓-額定

66V

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NI-880S

供應商設備包裝

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