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MRF7S16150HSR3

MRF7S16150HSR3

僅供參考

型號 MRF7S16150HSR3
PNEDA編號 MRF7S16150HSR3
描述 FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,266
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF7S16150HSR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF7S16150HSR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF7S16150HSR3, MRF7S16150HSR3數據表 (總頁數: 12, 大小: 495.56 KB)
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MRF7S16150HSR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.6GHz ~ 1.66GHz
增益19.7dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.5A
功率-輸出32W
電壓-額定65V
包裝/箱NI-780S
供應商設備包裝NI-780S

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.2A

功率-輸出

120W

電壓-額定

84V

包裝/箱

440095

供應商設備包裝

440095

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

40mA

功率-輸出

4W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-1211-2

供應商設備包裝

16-HSOPF

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

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增益

18.6dB

電壓-測試

-

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

12.5W

電壓-額定

28V

包裝/箱

PLD-1.5W

供應商設備包裝

PLD-1.5W

制造商

CEL

系列

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晶體管類型

HFET

頻率

1.9GHz

增益

10dB

電壓-測試

3.5V

額定電流(安培)

2.8A

噪聲系數

-

當前-測試

200mA

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額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

1.6A

功率-輸出

50W

電壓-額定

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