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MRF7S18125BHR3

MRF7S18125BHR3

僅供參考

型號 MRF7S18125BHR3
PNEDA編號 MRF7S18125BHR3
描述 FET RF 65V 1.93GHZ NI780
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,722
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF7S18125BHR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF7S18125BHR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF7S18125BHR3, MRF7S18125BHR3數據表 (總頁數: 14, 大小: 521.74 KB)
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MRF7S18125BHR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.93GHz
增益16.5dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.1A
功率-輸出125W
電壓-額定65V
包裝/箱SOT-957A
供應商設備包裝NI-780H-2L

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增益

20dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

2.8µA

噪聲系數

-

當前-測試

1.3A

功率-輸出

900W

電壓-額定

108V

包裝/箱

SOT539B

供應商設備包裝

SOT539B

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.17GHz

增益

18.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.4A

功率-輸出

63W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-957A

供應商設備包裝

NI-780H-2L

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

pHEMT FET

頻率

3.55GHz

增益

9dB

電壓-測試

6V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

180mA

功率-輸出

3W

電壓-額定

8V

包裝/箱

PLD-1.5

供應商設備包裝

PLD-1.5

ATF-52189-TR2

Broadcom

制造商

Broadcom Limited

系列

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晶體管類型

E-pHEMT

頻率

2GHz

增益

16dB

電壓-測試

4.5V

額定電流(安培)

500mA

噪聲系數

1.5dB

當前-測試

200mA

功率-輸出

27dBm

電壓-額定

7V

包裝/箱

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制造商

Ampleon USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual), Common Source

頻率

860MHz

增益

21dB

電壓-測試

42V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.3A

功率-輸出

200W

電壓-額定

104V

包裝/箱

SOT539A

供應商設備包裝

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